安世半导体发布具备晶圆级12和30V MOSFET

0 缩小文字 放大文字
2022-07-27 11:46:59 来源：上海证券报·中国证券网 作者：

　　上证报中国证券网讯 安世半导体近日宣布推出PMCB60XN和 PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。据悉，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

缩小文字 放大文字