捷捷微电:公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件
上证报中国证券网讯 捷捷微电8月19日在互动平台回答投资者提问时表示,公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至目前,公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件,此外,公司还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段。
上证报中国证券网讯 捷捷微电8月19日在互动平台回答投资者提问时表示,公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至目前,公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件,此外,公司还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段。
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